非易失性存储

基于氧化铪的铁电场效应晶体管（FeFET）在1纳米节点实现了突破性的非易失性存储性能，为超低功耗AI边缘计算应用开辟了新的可能。虽然实验室演示显示出令人瞩目的开关速度和耐久性，但这些器件仍面临着关键的制造挑战和集成复杂性，这将决定它们相对于MRAM和闪存等成熟存储技术的商业可行性。