英特尔

ASML的高数值孔径极紫外系统实现了0.55数值孔径——是现有设备分辨率的两倍——首次实现了10纳米以下的关键尺寸制造。这些价值4亿美元的设备代表了有史以来最复杂的制造装备，其反射镜精度接近物理学理论极限。英特尔于2023年12月获得了首台生产系统，标志着真正2纳米制造能力的开端，可为下一代AI处理器带来50%的性能提升。

台积电率先在2026年量产采用背面供电网络(BSPDN)的2纳米工艺节点，英特尔和三星同步开发竞争性架构。这一突破性技术将供电轨道置于晶圆背面，IR压降降低高达30%，为下一代AI和高性能计算芯片实现更高晶体管密度。

主要代工厂正在实施背面供电网络以克服先进节点的IR压降限制。台积电的N2工艺(2025年)、英特尔的18A PowerVia(2024年)和三星的SF2Z工艺代表了从共享正面布线到解耦供电架构的根本转变，解决了在日益受限几何结构中按ρL/A比例缩放的供电阻抗问题。